Учені з Фуданського університету встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши флеш-пам’ять, яка може зберігати дані зі швидкістю одного біта за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій, відомий як PoX, є енергонезалежним і набагато швидшим за існуючі енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації та прискорення розвитку технології. Команда дослідників працює над тим, щоб перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.
Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті
